半導體深度報告：存儲行業(yè)已處周期底部 新需求加速拐點到來

　　存儲廠商盈利能力 揭示當前存儲行業(yè)處于周期底部位置由于庫存水位升高，許多廠商通過產(chǎn)品降價刺激庫存消耗。根據(jù)美光近期盈利狀況，CY23Q1 毛利率為-32.66%，近年來首次為負值，CY23Q2 毛利率為-17.8%，環(huán)比上升14.86pct。根據(jù)三星披露的二季度財報，其DS 部門第二季度營業(yè)虧損4.36 萬億韓元，一季度虧損4.58 萬億韓元，多家機構預計三星DS 部門全年營業(yè)虧損將超過10 萬億韓元。
　　龍頭廠商減產(chǎn)與削減投資，供給端實現(xiàn)邊際改善，有望夯實周期底部由于2022 年下游市場需求疲軟，美光與SK 海力士計劃削減2023 年資本支出40%~50%不等，并對存儲芯片進行減產(chǎn)。2023 年6 月，美光宣布將DRAM 和NAND 晶圓開工率進一步減少至近30%；SK 海力士于2023 年7 月宣布擴大減產(chǎn)NAND Flash；三星已在2023 年4 月宣布對存儲芯片減產(chǎn)，并在7 月宣布決定延長減產(chǎn)計劃。
　　手機市場逐步復蘇，AI 服務器帶來全新價值增量2023 年，隨著手機庫存去化逐漸成效，并受益于下一代iPhone 容量規(guī)格提高，TrendForce 預測2023 年手機DRAM 平均用量同比增長6.7%，優(yōu)于2022 年的3.9%，同時2023 年智能手機NAND 搭載容量年成長仍能維持22.1%的高水位。據(jù)TrendForce 數(shù)據(jù)，AI 服務器平均容量可達1.2~1.7TB，預估2023 年AI 服務器出貨量近120 萬臺，年增率近38%。AI 服務器除原有DRAM 外還會用到HBM，因此帶來全新價值增量。
　　DRAM 價格跌幅收窄，部分存儲產(chǎn)品有望于23Q3 漲價受益于DRAM 廠商的減產(chǎn)以及季節(jié)性需求支撐，存儲廠商庫存壓力得到減輕，TrendForce 預估第三季度DRAM 均價跌幅將收斂至0~5%。
　　從價格走勢來看，DRAM 現(xiàn)貨價格走勢與存儲廠商股價呈現(xiàn)一定關聯(lián)性，兩者走勢相似。當現(xiàn)貨價格跌幅開始收窄時，股價便開始筑底反彈。此外，DRAM/NAND 廠商的價格走勢與NOR 廠商方向一致，但幅度會有所差異。根據(jù)TrendForce 數(shù)據(jù)，7 月DRAM 平均固定交易價格環(huán)比下跌1.47%，降幅較6 月份的下跌2.86%進一步收窄，并且在現(xiàn)貨市場，有部分DRAM 產(chǎn)品已經(jīng)止跌，連續(xù)兩個月持平。因此，隨著DRAM 現(xiàn)貨價格跌幅收窄，預計存儲板塊也將逐步復蘇，迎來投資機會。
　　建議關注
　　兆易創(chuàng)新、北京君正、普冉股份、東芯股份、聚辰股份等。
　　風險提示
　　下游復蘇不及預期風險、存儲價格反彈不及預期風險、龍頭減產(chǎn)不及預期風險。
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