
Rapidus計劃在其日本工廠中安裝多達10臺EUV光刻機設備。這些設備將從2027年開始用于2nm級工藝的芯片量產。
據Rapidus首席執行官Atsuyoshi Koike透露,Rapidus計劃在其IIM-1和IIM-2半導體生產設施中安裝10臺EUV光刻機。2024年12月,首臺面向日本的EUV光刻設備抵達新千歲機場,標志著Rapidus發展和日本半導體產業復興的重要里程碑。
Atsuyoshi Koike沒有透露該公司安裝EUV光刻機的時間表,但可以合理地預期,未來幾年內,一些尖端光刻系統將安裝在IIM-1上,其余系統將稍后安裝在IIM-2上。
該公司也沒有透露將使用哪些設備,但由于它正在安裝ASML的Twinscan NXE:3800E,因此很可能會在IIM-1上使用這些工具。一臺Twinscan NXE:3800E光刻機每小時可以處理多達220片晶圓,劑量為30mj/cm^2,或每24小時處理5280片晶圓,前提是它一直可用,但這通常不會發生,因為設備還需要維修。
很難根據安裝的設備數量來估計Rapidus的IIM-2的實際生產能力。在3nm工藝中,掩模層總數可以在100~120+范圍內,具體取決于設計的復雜性。其中,20~25個是EUV層(盡管這因代工廠和設計而異)。假設Rapidus的2nm級工藝技術將具有20個EUV層,那么使用5臺EUV設備(正常運行時間內),該代工廠可以在IIM-1每月支持大約17000~20000片晶圓。當然,這是一個非常粗略的估計。
Rapidus公司計劃于2025年4月在試驗線IIM-1上開始2nm試生產。據報道,到2025年6月,Rapidus計劃向博通交付2nm芯片樣品,博通是一家主要的人工智能(AI)和通信處理器合同開發商,與谷歌和Meta等公司合作。Rapidus的目標是于2027年在IIM-1開始量產2nm產品。IIM-2工廠將稍后上線。
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