超200億！武漢晶圓大廠，正式投產

近日，備受矚目的長飛先進半導體項目正式建成投產，這一具有重大意義的事件，成為國內第三代半導體產業發展的重要里程碑，標志著我國在該領域邁出了堅實且關鍵的一步。

長飛先進半導體項目選址于湖北省武漢市東湖高新區，這片充滿創新活力的土地為項目的成長提供了肥沃的土壤。項目整體規模宏大，總占地面積達344畝，規劃總建筑面積為429041.04平方米，采用分兩期建設的模式逐步推進。目前，一期工程320522.72平方米已順利完成建設，眾多主要建筑物拔地而起，涵蓋了一座6英寸晶圓廠、一座封裝廠房、一座外延廠房、一座中央動力站，以及配套的研發大樓與倒班宿舍樓等，為項目的高效運營奠定了堅實基礎。

長飛先進半導體在技術研發和產業制造方面展現出了強大的實力和決心。該項目專注于碳化硅（SiC）功率半導體產品的研發及制造，擁有國內一流的產線設備和先進的配套系統。從外延生長、器件設計，到晶圓制造、模塊封測，長飛先進半導體具備全流程生產能力和技術研發能力，形成了完整的產業鏈條，這在國內半導體行業中具有顯著的競爭優勢。