恭喜！浙江一晶圓廠，新設(shè)備成功搬入

近日，中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件和芯片方案提供商——瞻芯電子在浙江義烏晶圓廠(Yfab)隆重舉辦主題為 “創(chuàng)芯八載，無限熱愛” 的 8 周年慶典。義烏經(jīng)開區(qū)領(lǐng)導(dǎo)、股東代表、關(guān)鍵設(shè)備供應(yīng)商與全體瞻芯人齊聚，共同見證浙江義烏晶圓廠(Yfab)第二期擴建潔凈間啟用和新設(shè)備搬入的重要時刻。

期間，瞻芯電子CEO 張永熙博士匯報了公司2025 年上半年工作動態(tài)：在“聚焦大市場大客戶”的策略指引下，銷售額穩(wěn)步提升，義烏晶圓廠(Yfab)同步提升晶圓投片量和產(chǎn)品良率，助推產(chǎn)品交付量快速增長。目前，累計交付SiC MOSFET 2500萬顆、驅(qū)動芯片逾7600萬顆，公司上半年營收同比大漲 114%，下半年有望延續(xù)強勁增長態(tài)勢。

八年耕耘：技術(shù)突破筑根基

2017年成立之初，海歸博士團隊創(chuàng)立瞻芯電子，以戰(zhàn)略眼光扎根碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體和模擬芯片領(lǐng)域，如今團隊已發(fā)展壯大到350 人以上覆蓋全鏈條的人才梯隊，為技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)能落地提供了支撐。在技術(shù)研發(fā)方面，瞻芯電子持續(xù)創(chuàng)新突破。自2020年發(fā)布第一代平面柵 SiC MOSFET工藝和器件后，公司持續(xù)迭代開發(fā)第2代、第3代平面柵SiC MOSFET 工藝平臺，推出650V~3300V電壓平臺近200款碳化硅(SiC)器件產(chǎn)品，核心參數(shù)比導(dǎo)通電阻(Rsp)達到國際一流水平。公司自主研發(fā)的“1200V碳化硅功率MOSFET成套工藝和車規(guī)級產(chǎn)品研發(fā)”項目，獲評2022年上海市技術(shù)發(fā)明二等獎。

瞻芯電子同步創(chuàng)新開發(fā)驅(qū)動和控制芯片。其中最具代表性是比鄰驅(qū)動^?系列SiC專用柵極驅(qū)動芯片，集成了負壓驅(qū)動、短路保護和故障報警等關(guān)鍵功能，幫助SiC MOSFET充分發(fā)揮性能優(yōu)勢，還有CCM模擬圖騰柱PFC控制芯片，無需編程即可提供精確、快速且可靠的模擬控制信號，支持快速開發(fā)高性能開關(guān)電源，曾榮獲第8屆中國電源學(xué)會優(yōu)秀產(chǎn)品創(chuàng)新獎。

瞻芯電子致力于提供 “SiC器件+模擬芯片 +應(yīng)用方案” 的一站式解決方案，幫助應(yīng)用系統(tǒng)實現(xiàn)小型化、輕量化、高效化。